
該工藝從n型襯底開始.步驟 1:沉積一層薄薄的 SiO2,用作襯墊氧化物.步驟2:通過化學氣相沉積(CVD)沉積更厚的犧牲氮化矽層.步驟3:使用等離子蝕刻工藝來創建用於絕緣器件的溝槽.
CMOS 工藝流程 • CMP 用於平坦化晶圓表面,完成鑲嵌工藝. 31. CMOS工藝流程 P+ N P+ N+ N Well P N+ P Well P • Al通過濺射沉積在晶片上.掩模#13 用於對 Al 進行圖案化,並使用等離子蝕刻對其進行蝕刻.
矽是 MEMS 的理想基板材料,原因如下: 它具有機械穩定性,並且可以在同一基板上集成到電子設備中.
MOSFET 傳感器由三層組成--矽半導體,氧化矽絕緣體和催化金屬(通常是鈀,鉑,銥或銠),也稱為柵極.
第一產業是那些從自然中收穫或選取原材料的產業,如農業,石油和瓦斯開採,伐木和林業,採礦,漁業和捕集.
一個與金屬打交道的人.鐵匠.鍛工.鐵販子.鐵匠.
冷軋鋼本質上是經過進一步加工的熱軋鋼.一旦熱軋鋼冷卻,然後在室溫下重新軋製以獲得更精確的尺寸和更好的表面質量.
Hra 表示以 hrb 刻度測量的洛氏硬度此預覽顯示第 2 - 5 頁,共 5 頁. HRA 表示以 A 級測量的洛氏硬度. HRB 表示以 B 級測量的洛氏硬度. HRC 表示以 C 級測量的洛氏硬度.
Rockwell B 標尺使用直徑為 1/16 英寸的球壓頭,負載為 100 公斤.洛氏C標尺通常縮寫為HRC(硬度洛氏C),而洛氏B標尺縮寫為HRB(硬度洛氏B).
我們所有的刀具都根據所謂的鋼材洛氏等級或測量(又名 HRC)的硬度來評定. HRC 在其簡單性方面很聰明,它只是測量一個鑽石點可以在金屬中產生多少凹痕/標記,並測量一定的重量.標記越小,鋼材越硬.
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